鈣鈦礦鍍膜設備主要由有機/金屬源蒸發沉積室、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品加熱控溫、電控系統、配氣系統等部分組成。適用于制備金屬單質薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產前的試驗工作，廣泛應用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領域。
- 樣品位于真空室上方，蒸發源位于真空室下方，向上蒸發鍍膜，且蒸發源帶有擋板裝置。
- 設有烘烤加熱功能，可在鍍膜過程中加熱樣品，最高烘烤加熱溫度為180℃。
- 設有斷水、斷電連鎖保護報警裝置及防誤操作保護報警裝置。
| 技術參數 |
| 鍍膜室 | 不銹鋼材料，采用方形前后開門結構，內帶有防污板，腔室尺寸約為600mm×450mm×450mm |
| 真空排氣系統 | 采用分子泵+機械泵系統 |
| 真空度 | 鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa |
| 系統漏率 | ≤1×10-7Pa |
| 蒸發源 | 安裝在真空室的下底上；有機蒸發源4個、容積5ml，2臺蒸發電源，可測溫、控溫，加熱溫度400℃，功率0.5KW；無機蒸發源4套、容積5ml，2臺蒸發電源，加熱電流300A，功率3.2KW；蒸發源擋板采用自動磁力控制方式控制其開啟 |
| 樣品架 | 安裝在真空室的上蓋上，可放置Ø120mm的樣品、載玻片，旋轉速度0-30rpm |
| 加熱溫度 | RT-180℃，測溫、控溫 |
| 膜厚控制儀 | 石英晶振膜厚控制儀，膜厚測量范圍0-999999Å |
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